2010年对于全球半导体产业而言，可说是值得纪念的一年，拓?产业研究所研究员陈兰兰表示，2010年全球半导体产业年成长率将高达30%，创下10年以来新高纪录。然而，受到PC产业成长趋缓影响，2011年全球半导体产业仅将成长5%，移动通讯产品反成为支撑整体产业成长的重要动能。预估2011年移动通讯用产品占总体半导体比重将从2010年的26%提升至30%，MobileDRAM和NANDFlash的重要性，也将随着智能手机等移动通讯产品兴起而与日俱增。

    至于晶圆代工和DRAM产业，虽然2010年将各成长40%和80%，不过由于全球景气缓慢复苏，加上2010年基期已高，2011年晶圆代工业产值预估仍仅将小幅度增长5.5%;DRAM产业则因小幅供过于求，将缴出负成长20%的惨绿成绩，台厂处境愈显艰困。拓?建议，台湾半导体业者由于贴近亚太等新兴国家市场，除可积极发展高阶产品外，亦可仔细观察新兴市场需求与动态，朝向开发兼具低成本及符合新兴市场特性的产品(如3SIM卡/4SIM卡手机芯片)发展。

    DRAM惨淡经营台厂前景有隐忧

    2010年DRAM整体营收成长80%，是有史以来最好的一年，韩厂因此获利大增、排名上升，SAMSung仅1~9月总营收即达315.4亿美元(28.39兆韩元)，直逼Intel营收规模;但台厂除力晶及瑞晶之外，南科、茂德及华亚科营收皆不如预期。

    拓?预估，2011年全球DRAM整体营收将较2010年下滑20%，仅322亿美元，ASP也恐降至1.2~1.4美元/Gb的低水准，只有SAMSUNG等具有成本优势之国际大厂可能获利，对于负债比仍高的台厂来说，2011年又将是艰困的一年。例如无财团支撑的茂德，除寄望Elpida或政府伸出援手外，恐别无他法。MobileDRAM台湾布局要趁早

    另一方面，近年为满足智能手机等移动运算装置使用需求，使得MobileDRAM这类具有独特省电特性的内存应运而生。另外，追求轻薄短小的手机也为内存带来新挑战，不仅耗电量要低，更要在有限空间内达到最大容量，只有采用最先进制程，才能符合所有的要求，故MobileDRAM可望成为引领高端制程的新力量。

    拓?指出，MobileDRAM不仅具备省电特性，最终产品型态也不同于一般内存模块。MobileDRAM通常采用裸晶配合NANDFlash进行MCP封装，或采用PoP

    (Package-ON-Package)封装，再与ApplicationProcessor堆栈组装。无论裸晶圆测试或MCP封装都必须有完整的配套，台湾DRAM产业应即早切入，发展出完整供应链，才能在MobileDRAM市场占一席之地。

    NANDFlash移动云端带动成长

    而行动云端运算新趋势兴起，智能手机等行动装置可实时将时、空、影、音等各项信息提供给资料中心(DataCenter)中的云端服务器进行运算，以取得最佳结果。MobileDRAM、NANDFlash在过程中将扮演更加重要角色，因此两者占整体内存的比重也将逐渐增加。
    虽然NANDFlash需求量大，但由于各大NANDFlash厂纷纷透过扩产、制程微缩及采用部份TLC颗粒等三种方式来抢攻市占率，预估2011年将有微幅供过于求的状况，但价格可望维持一定水准。

    在SSD部分，拓?预估2011年开始采用2xnmMLC颗粒单位价格将降至与目前Server级硬盘(1美元/GB)相近水准，再配合先进ECC、WearLeveling等技术延长使用寿命至服务器等级，可望大幅度提高SSD在服务器市场使用率。但由于SSD与PC/NB用硬盘仍存在相当大的价格差异(SSD单位价格约1美元/GB，PC/NB用硬盘仅0.1美元/GB)，所以SSD在NB中的运用将仍将集中在1,500美元以上的中、高阶机种。