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IGBT突波吸收电容
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关键字:IGBT突波吸收电容
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IGBT突波吸收电容

双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术,使电容具低感抗,

多条引线设计,可承受更高纹波电流,高du/dv以及高过压能力。

用于各类IGBT缓冲线路突波吸收,各类高频谐振线路

 

材料特性

电容结构: 双层金属化膜,内部串联结构

封装: 阻燃塑胶外壳,环氧树脂封装,符合(UL94V-0 )标准.

尺寸: 适合于各种IGBT保护 (可按客户需求定制特殊规格)

电气特性

电容量: 0.0047 to 6.8μF,参考表格数据

额定电压: 700 to 3000 Vdc

损耗角正切: 测试条件 1000±20 Hz 25±5.

              Cr≤1.0μF 4×10-4 Cr>1.0μF 6×10-4

绝缘电阻: 3000ss= MΩ. μF 测试条件 1 minute100Vdc (25±5)

耐电压: 2Ur (DC)测试条件 10st 25±51Min

工作温度: -40~+85

以上产品全新原装进口,有现货,直接代理商,有价格优势

深圳市嘉林电子有限公司  林高勤     13502822457    0755-82429076  QQ:28390510

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